中国是当前全球最大的集成电路消费国，半导体设备与材料多年来一直被视为中国集成电路产业自主发展的一大瓶颈和短板。随着国内新一轮集成电路投资扩产热潮的兴起，半导体设备需求也水涨船高。

瞄准关键领域、卡脖子的地方下苦功夫

金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电器件和电子器件的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。

同时，MOCVD是LED生产过程中的核心装备，是决定LED产业发展技术水平的关键因素。由于技术含量高，MOCVD设备站在了LED行业价值链的顶端，MOCVD设备是专利技术密集型产业，而其核心技术大多掌握在少数企业手中。

高端装备与核心装置是“大国重器”，是我国成为制造强国的基础。国产半导体设备厂商近年来不断加大自主研发力度，半导体设备国产化比重逐步提升，一些行业龙头企业也正迎来发展拐点。特别是近年来国产化的大力推进，国产MOCVD设备开始赢得了国内LED芯片厂商的认可。国际设备厂商在中国市场的份额逐渐被国产设备挤压，并且在技术上也逐渐被国内设备厂商赶上。随着中国企业的迅速崛起，有信心逐渐打破国际技术封锁，迎来MOCVD设备及核心技术国产化的高光时刻。

习近平总书记曾说过：“我们的科技创新同国际先进水平还有差距，当年我们依靠自力更生取得巨大成就。现在国力增强了，我们仍要继续自力更生，核心技术靠化缘是要不来的”。“高端科技就是现代的国之利器。近代以来，西方国家之所以能称雄世界，一个重要原因就是掌握了高端科技。真正的核心技术是买不来的。”

“一代材料，一代器件，一代工艺，一代装备”。正值中美贸易战纠葛时期，核心技术受制于人的中兴成了全球热议焦点。

以此为鉴，MOCVD技术及重大装备如果不能与世界顶尖水平保持一致， 如果核心元器件严重依赖外国，供应链的“命门”掌握在别人手里，我国半导体产业将面临更大的损失。所以，新材料、新技术及新应用不断涌现的新时代，产业如何顺应趋势发展？科研人员如何紧跟领域前沿做好新材料、新器件、新工艺和新装备的研发，就要在关键领域、卡脖子的地方要下大功夫。

MOCVD作为半导体产业最为核心的重大装备之一，其技术进步与装备智能化、国产化将成为产业界共同关注的话题。当前，MOCVD前沿研究技术进展如何，装备国产化及核心工艺又有哪些新突破？此刻，与MOCVD相关的“政产学研用”各界代表们都需要认真了解一下，全国MOCVD学术会议正是最佳选择！

三十二年的传承与积淀，助力产学研用全方位合作

三十二年的传承与积淀，两年一次的相聚与畅谈，是重逢，更是见证！

作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十五届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。

今年，在国家科学技术部指导下，安徽省教育厅、安徽省科学技术厅、江苏省科学技术厅支持下，由中国有色金属学会、南京大学、厦门大学、中国科学技术大学、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)联合主办，江苏省光电信息功能材料重点实验室、江苏省2011"固态照明与节能电子学"协同创新中心、教育部光电材料与芯片技术工程中心、半导体照明联合创新国家重点实验室、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，安徽大学、黄山学院、西安电子科技大学芜湖研究院全力协办的“第十六届全国MOCVD学术会议”将于8月4-7日在安徽·屯溪举行。

本届会议以“先进光电技术·智能绿色制造”为主题，选择在安徽屯溪举行，在四天的相聚于畅谈中，将与来自祖国大陆和港澳台地区的与会专家学者、工程技术人员和企业家将在MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。

从组委会获悉，会议报名工作正有序进行中，会议得到了全国各大高校、研究院所及产业链各环节企业的大力支持和积极响应。其中，中微公司、亚格盛、中科潞安、AIXTRON、Crosslight、德智新材、南京集芯光电、博蓝特、西安电子科技大学芜湖研究院、Mbraun、华邦化学、Horiba 堀场、先普、翱晶半导体、纳维科技、MalvernPanalytical、志橙半导体、隆兴达科技、迈塔光电、尚勤光电、普发真空、德仪、德国WITec、奥趋光电、中晟光电、元旭光电、正通远恒、晶湛半导体、颐光科技、桂林雷光、米格实验室等来自国内外的半导体关键设备、衬底材料、外延芯片、测量、检测、石墨、Mo源以及高纯气体等材料国内外知名厂商将参加此次会议。助力MOCVD关键设备及技术产学研用合作，加速先进光电技术与智能绿色制造国产化进程。

截止目前，会议已收到投稿论文200余篇，涉及外延生长机理和生长动力学、半导体材料结构与物性、光电子材料与器件、电子材料与器件、超宽禁带半导体材料与器件、低维半导体等新型材料与器件、装备与基础原材料、衬底、MO源、高纯气体等基础材料八大方向。全面的论文角度和内容，大大地丰富了本次会议的广度和深度，也让会议备受期待。

特别提醒：

1、报告时长

★本届大会口头报告时长为：15分钟；

★分会邀请报告时长为：20分钟；

★大会报告时长为：35-40 分钟。

2、POSTER海报展示

★POSTER海报尺寸：90(cm宽)*120 (cm高)。海报模板及展示指南详见附件。

★海报数量：约120个，请自行按编号P-xx对应张贴至海报板[100(cm宽)*200 (cm高)]，会场将提供简单工具：胶带、剪刀等。

★摆放位置：香茗酒店·四层长廊

★海报张贴时间：    8月5日   17:00-19:00

★交流展示时间：    8月5日   19:00-21:00