时间:2018年8月21-24日

地点:江西 · 井冈山 · 衡山大酒店

当前位置:会议概况

第十五届全国MOCVD学术会议

举办时间:2018年8月21-24日

举办地点:江西省 井冈山 衡山大酒店


主办单位:

  • 中国有色金属学会


承办单位:

  • 南昌大学
  • 国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
  • 第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
  • 国家硅基LED工程技术研究中心
  • 半导体照明联合创新国家重点实验室


协办单位:

  • 北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司


会议简介

金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术自二十世纪六十年代提出以来,取得了飞速进步,已经广泛应用于制备氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构,极大地推动了光电器件和电子器件的发展及产业化,也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。

作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台,自1989年第一届会议举办以来,“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十四届,会议规模和影响力越来越大,成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。本次会议选择在红色文化闻名中外的江西井冈山举行,来自祖国大陆和港澳台地区的与会专家学者、工程技术人员和企业家将在MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备(整机/部件/配件/原材料)、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流,了解发展动态,促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。

三十年的传承与积淀,两年一次的相聚与畅谈,是重逢,更是见证!今年,为迎接十五届会议的召开,特别在会议组织形式和内容上尝试创新,热烈欢迎MOCVD及相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流!2018年8月,让我们相聚井冈山红色革命根据地!


大会名誉主席:

  • 曹健林 (国家科学技术部原副部长)


会议主席:

  • 江风益 (南昌大学教授,副校长)
  • 吴 玲 (国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长)

 

重要日期

  1. 报告提交截止时间:2018年7月5日
  2. 报告录用通知时间:2018年7月13日
  3. 注册费优惠截止日:2018年7月13日


大会主题

  1. MOCVD与智能光电
  2. 专题方向
  3. 外延生长机理和生长动力学
  4. 外延结构与物性
  5. 光电子材料与器件
  6. 电子材料与器件
  7. 其他材料与器件
  8. 封装技术及封装材料
  9. 设备研制与开发
  10. 衬底、MO源、高纯气体等基础材料


时间上午下午
8月21日 注册报到
8月22日开幕式及大会报告分会报告
8月23日分会报告大会报告及闭幕式
8月24日参观考察及返程

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